Головний регулятор промисловості Китаю включить розробку важливого базового матеріалу для напівпровідників – SiC в п’ятирічний план розвитку промислових технологічних інновацій.
За словами експертів, цей крок є частиною стратегічних зусиль Міністерства промисловості та інформаційних технологій КНР у напрямку розвитку матеріалів на основі вуглецю для підтримки інновацій та розвитку чіпів.
SiC – неорганічне хімічна сполука кремнію та вуглецю. Кремній, який міститься у великих природних запасах, став найважливішою сировиною для виробництва чіпів та пристроїв. Понад 90 відсотків напівпровідникової продукції виготовляється з кремнію в якості підкладки. Але обмежені характеристиками матеріалу силові пристрої на основі кремнію не можуть задовольнити вимоги до потужних й високочастотних пристроїв таких як: 5G, нові енергетичні транспортні засоби та високошвидкісні залізниці.
Тому очікується, що SiC частково замінить кремній і стане новим матеріалом третього покоління для підготовки високовольтних та високочастотних пристроїв. Це дасть китайським чіпмейкерам хорошу можливість наздогнати своїх зарубіжних колег.
Сян Ліган, генеральний директор Альянсу інформаційного споживання, Асоціації телекомунікаційної промисловості, зазначив: “Основне поле битви за застосування напівпровідникових технологій третього покоління знаходиться в Китаї, але вітчизняним компаніям буде потрібно багато часу, щоб вирішити ряд проблем, перш ніж ці технології отримають широке поширення”.
